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兵器工業(yè)集團(tuán)兩項(xiàng)技術(shù)入選2022年“科創(chuàng)中國”先導(dǎo)技術(shù)榜

發(fā)布時(shí)間:2023-02-07

近日,中國科協(xié)發(fā)布2022年“科創(chuàng)中國”系列榜單遴選結(jié)果,中國兵器工業(yè)集團(tuán)微電子院“高性能MOEMS晶圓制造技術(shù)”、西安近代化學(xué)研究所“原子層沉積(ALD)納米制造技術(shù)”入選“科創(chuàng)中國”先導(dǎo)技術(shù)榜(產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域)。

高性能MOEMS晶圓制造技術(shù)

微電子院突破高性能MOEMS晶圓制造系列關(guān)鍵技術(shù),多項(xiàng)技術(shù)和產(chǎn)品填補(bǔ)國內(nèi)空白,建立了國際先進(jìn)、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)體系,實(shí)現(xiàn)了光衰減器、光開關(guān)陣列、可調(diào)光濾波器、MOEMS掃描鏡等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn),這些產(chǎn)品是光交叉、智能光束控制和掃描成像的核心芯片,在5G通信、無人駕駛、智慧工業(yè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,為國家發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供重要支撐。

原子層沉積(ALD)納米制造技術(shù)

原子層沉積(ALD)是一種先進(jìn)的薄膜沉積與納米結(jié)構(gòu)制造技術(shù),借助該技術(shù)可對(duì)物質(zhì)表面組成及結(jié)構(gòu)進(jìn)行原子層面的精確操縱,在材料表面引入特定的物理或化學(xué)性質(zhì),實(shí)現(xiàn)多種納米材料的高精度可控合成。西安近代化學(xué)研究所原子層沉積表面工程與納米制造技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備開展ALD先進(jìn)設(shè)備及工藝研發(fā)、高水平基礎(chǔ)研究以及工程化應(yīng)用能力,通過自主創(chuàng)新,初步實(shí)現(xiàn)了ALD先進(jìn)設(shè)備及相關(guān)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,并且開創(chuàng)性地將ALD技術(shù)成功應(yīng)用于多個(gè)研究方向,成為推動(dòng)我國ALD技術(shù)發(fā)展的中堅(jiān)力量。

據(jù)了解,“科創(chuàng)中國”榜單由中國科協(xié)設(shè)立,旨在通過優(yōu)選引領(lǐng)人物、新銳企業(yè)及先導(dǎo)技術(shù),引導(dǎo)探索技術(shù)服務(wù)與交易新業(yè)態(tài)、新組織、新模式,激活創(chuàng)新引領(lǐng)的合作動(dòng)能,為實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)提供支撐。

來源/微電子院、西安近代化學(xué)研究所

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